Specialiseret i produktion af siliciumcarbidstænger, siliciumcarbidstangbeskyttelsesrør, siliciumcarbidbeskyttelsesrør, sillimaniteprodukter, termoelementbeskyttelsesrør og andre typer, hundredvis af specifikationer og andre produkter. Oplevelsen af at bruge siliciumcarbidstænger i mange år er opsummeret som følger:
Driftstemperatur: Jo højere temperaturen på siliciumcarbidstangen er, jo kortere er levetiden. Især når ovntemperaturen overstiger 1600 °C, vil oxidationshastigheden stige, og levetiden for siliciumcarbidstangen forkortes. Prøv derfor ikke at gøre overfladetemperaturen på siliciumcarbidstangen for høj, det vil sige, det er nødvendigt at reducere forskellen mellem ovntemperaturen og temperaturen på siliciumcarbidstangen.
Overfladebelastning: Overfladebelastningstætheden henviser til den tilladte nominelle effekt pr. enhed overfladeareal på stangens varmedele.
Overfladebelastningstæthed = nominel effekt (W) / overfladeareal af varmedelen (cm2)
Praksis har vist, at forskellen mellem varmeelementets overfladetemperatur og ovntemperaturen også er stor, når belastningstætheden er stor. Hvis belastningstætheden er stor, vil overfladetemperaturen på stanghuset være høj, modstanden vil stige hurtigt, og SIC-stangens levetid vil være kort. Derfor er siliciumcarbidstangens overfladetemperaturbelastningstæthed, atmosfæren i ovnen og temperaturen direkte proportional med SIC-stangens ældningshastighed og omvendt proportional med SIC-stangens levetid.
Ovnatmosfære: Under fyring vil siliciumcarbidstængerne reagere med mange kemiske stoffer, der udsendes fra de fyrede produkter. Hvis det reagerer med vand, brint, nitrogen, svovl, halogen og andre gasser, smeltet aluminium, alkali, salt osv. Hvis smeltet metal og metaloxid kommer i kontakt, vil der også forekomme reaktion, korrosion eller oxidation.
Ovndriftstilstand: I kontinuerlig ovn og periodisk ovn har siliciumcarbidstænger en længere levetid. Overfladen af siliciumcarbidstangen oxideres til at danne en siliciumdioxidfilm under brug. Langvarig brug vil øge siliciumdioxidfilmen, og siliciumcarbidstangens modstand vil også stige. Siliciumdioxidfilmen udvides og trækker sig unormalt tæt på det krystalliseringskritiske punkt (270 °C). Da temperaturen svinger ved denne temperatur under periodisk brug i batchovne, brydes silicafilmen gentagne gange for at fremskynde oxidationen. Derfor, når ovntemperaturen falder til stuetemperatur, øges modstanden ofte kraftigt.
Ledningsmetode: Hvis siliciumcarbidstængerne har forskellige modstandsværdier, vil de højmodstands siliciumcarbidstænger være mere koncentrerede, når de er tilsluttet i serie, hvilket let vil få modstanden af en bestemt siliciumcarbidstang til at stige hurtigt og forkorte dens levetid. Siliciumcarbidstænger bruges generelt i kombination med serie- og parallelforbindelser. Det anbefales at bruge 2 ledninger i serie til at danne en gruppe og derefter flere grupper parallelt. Især når temperaturen i ovnen overstiger 1350 °C, skal den tilsluttes parallelt. Det anbefales at bruge åbne delta ledninger til tre-faset ledninger.